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<title>Flächentransistor</title>

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<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading"><span class="mw-page-title-main">Flächentransistor</span></h1>

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<div id="mw-content-text" class="mw-body-content mw-content-ltr" lang="de" dir="ltr"><div class="mw-content-ltr mw-parser-output" lang="de" dir="ltr"><p>Ein <b>Flächentransistor</b> ist eine frühe Konstruktionsform eines <a href="Bipolartransistor" title="Bipolartransistor">Bipolartransistors</a>, der im Englischen als <span lang="en"><i>junction transistor</i></span> bezeichnet wird. Im Gegensatz zum ersten praktisch realisierten <a href="Spitzentransistor" title="Spitzentransistor">Spitzentransistor</a> („Punktkontakt-Transistor“) werden die Emitter- und Kollektorgebiete nicht durch Aufsetzen zweier <a href="Metall" class="mw-redirect" title="Metall">Metallspitzen</a> kontaktiert und formiert, sondern weisen flächenhafte Kontaktflächen für die drei <a href="Halbleiter" title="Halbleiter">Halbleiterzonen</a> (Basis, Emitter und Kollektor) auf.<sup id="cite_ref-Kulp_1-0" class="reference"><a href="#cite_note-Kulp-1"><span class="cite-bracket">[</span>1<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Der erste Flächentransistor wurde bereits 1948 von <a href="William_Bradford_Shockley" title="William Bradford Shockley">William Bradford Shockley</a> beschrieben und zum Patent angemeldet,<sup id="cite_ref-2" class="reference"><a href="#cite_note-2"><span class="cite-bracket">[</span>2<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> aber erst nach dem ersten Spitzentransistor praktisch realisiert, und war ein <a href="Gezogener_Transistor" title="Gezogener Transistor">gezogener Transistor</a> aus <a href="Germanium" title="Germanium">Germanium</a>.<sup id="cite_ref-Lojek_3-0" class="reference"><a href="#cite_note-Lojek-3"><span class="cite-bracket">[</span>3<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Das Fertigungskonzept des Flächentransistors hatte sich rasch durchgesetzt, auch da zahlreiche Abwandlungen und weitere Verbesserungen Bipolartransistoren mit besseren Eigenschaften ermöglichen. Zu nennen sind hierbei vor allem der <a href="Legierungstransistor" title="Legierungstransistor">Legierungs-</a> und der <a href="Diffusionstransistor" title="Diffusionstransistor">Diffusionstransistor</a>. Später folgte der Bipolartransistor in <a href="Planartechnik" title="Planartechnik">Planartechnik</a> sowie <a href="Epitaxialtransistor" title="Epitaxialtransistor">Epitaxialtransistoren</a>. Praktisch gesehen sind nahezu alle heutigen Bipolartransistoren der Gruppe der Flächentransistoren zuzuordnen.

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<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2></div>

<li id="cite_note-Kulp-1"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-Kulp_1-0">↑</a></span> <span class="reference-text">Martin Kulp: <cite style="font-style:italic">Röhren- und Transistorschaltungen: Transistortechnik</cite>. Vandenhoeck & Ruprecht, 1970, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>443<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>ff. & 553<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>ff</span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Fl%C3%A4chentransistor&rft.au=Martin+Kulp&rft.btitle=R%C3%B6hren-+und+Transistorschaltungen%3A+Transistortechnik&rft.date=1970&rft.genre=book&rft.pages=443+ff.+%26+553+ff&rft.pub=Vandenhoeck+%26+Ruprecht" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-2"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-2">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Patent <a rel="nofollow" class="external text" href="https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?locale=de_EP&CC=DE&NR=814487C&FT=D&KC=C">DE814487C</a>: <i>Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie.</i> Angemeldet am <span style="white-space:nowrap;">5. Mai 1949</span>, veröffentlicht am <span style="white-space:nowrap;">24. September 1951</span>, Anmelder: Western Electric Co, Erfinder: William Shockley.</span><span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft_id=DE814487C&rft.applcc=DE&rft.title=Feste%2C+leitende+elektrische+Vorrichtung+unter+Verwendung+von+Halbleiterschichten+zur+Steuerung+elektrischer+Energie&rft.inventor=William+Shockley&rft.assignee=Western+Electric+Co&rft.appldate=1949-05-05&rft.pubdate=1951-09-24">‌</span></span>

</li>

<li id="cite_note-Lojek-3"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-Lojek_3-0">↑</a></span> <span class="reference-text">Bo Lojek: <cite style="font-style:italic">History of Semiconductor Engineering</cite>. Springer, Berlin 2007, ISBN 978-3-540-34257-1, <i>Grown Junction and Diffused Transistors</i>, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>41<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>ff</span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abookitem&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Fl%C3%A4chentransistor&rft.atitle=Grown+Junction+and+Diffused+Transistors&rft.au=Bo+Lojek&rft.btitle=History+of+Semiconductor+Engineering&rft.date=2007&rft.genre=bookitem&rft.isbn=9783540342571&rft.pages=41+ff&rft.place=Berlin&rft.pub=Springer" style="display:none"> </span></span>

</li>

</ol></div><div><div class="zim-footer">

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